A p-típusú félvezető kristálydiódái és az n-típusú félvezető pn-csomópont kialakulása a tér-töltés rétegben az interfész mindkét oldalán kialakul, és azóta elektromos teret épített. Ha nincs külső feszültség, akkor a vivő koncentráció gradiens diffúziós áramának mindkét oldalán lévő pn átmenet és az elektromos egyensúlyi egyensúlyban lévő sodródási áram eredménye megegyezik.
Amikor a külső feszültség pozitív eltolódás esetén a külső elektromos mező és az elektromos mező kölcsönös gátló hatása növeli a hordozók diffúzióját, az előremenő áramot okozta.
Ha a külső, ha van egy fordított előfeszültség feszültség, az elektromos mező felépítése a külső elektromos tér által, és tovább erősíti és kialakítja egy bizonyos fordított feszültségtartományt a fordított telítési áram fordított előfeszültségének értékétől.
Ha bizonyos fokig fordított feszültséget mutat, akkor a tér töltésréteg-hordozó szorzási folyamatában a pn elágazás elektromos térerőssége eléri a kritikus értéket, nagyszámú elektron-lyuk párot produkál, és ekkora a fordított bontási áram, diódabontási jelenség néven ismert.