10W 808nm lézerdióda chip

Kiváló minőségű, 10 W-os 808 nm-es szimpla emitteres lézerchip

A 808 nm-es lézerchip jellemzői az alacsony feszültség, a nagy hatékonyság, a hosszú élettartam, a nagy megbízhatóság és a költséges teljesítmény. Két különböző emitterszélesség választható: 190 um és 350 um különböző alkalmazásokhoz.

Funkció:

58%-os energiaátalakítási hatékonyság

Kimeneti teljesítmény 10W

Hosszú élettartam és nagy megbízhatóság

Alkalmazás:

Nyomtatási technológia

Orvostudomány: Esztétika, bőrgyógyászat és sebészet

Félvezetők nagy teljesítményű dióda lézerekhez közvetlen anyagfeldolgozásban

Adatlap

Cikkszám: LC808SE10

Cikk neve: 10W 808nm lézerdióda chip

Optikai
Középső hullámhossz	808 nm
Kimeneti teljesítmény	10W
Spektrális szélesség FWHM	3 nm
Lejtési hatékonyság	1.22W/A
Gyors tengely divergencia	36Deg
Lassú tengely divergencia	10Deg
Polarizációs mód	TE
Emitter mérete	200 um
Elektromos
Küszöbáram	1.25A
Üzemi áram	10A
Üzemi feszültség	1.75V
Teljesítményátalakítási hatékonyság	58%
Termikus
Üzemi hőmérséklet	15-35℃
Tárolási hőmérséklet	0-80℃
Hullámhossz hőm. Együttható	0,28 nm/℃

Csomagolás:

Népszerű tags: 10w 808nm lézerdióda chip beszállítók, gyártók Kína, gyár, nagykereskedelem, Kínában gyártott