3W 5W 8W 808nm egy emitteres lézerchip
Félvezető anyagainkat a legszigorúbb minőségellenőrzés mellett gyártjuk. Kizárólag a legmodernebb epitaxiás, feldolgozási és fazettás bevonat technológiával dolgozunk. A nagy teljesítményű dióda lézerekhez készült rudaink, félrudaink és szimpla emittereink a legszigorúbb követelményeknek is megfelelnek: Rendkívül megbízhatóak, hatékonyak és tartósak. Félvezető termékeink könnyen összeszerelhetők szabványos forrasztási módszerekkel. Az anyag lágyforrasz (indium) és keményforrasz (arany/ón) egyaránt használható. Lézerrudainkat alapkivitelben a p oldalon elválasztott emitter szerkezetekkel szállítjuk Önnek. Igény szerint folyamatos p-oldali fémezéssel és adaptált fazettás bevonattal ellátott rudakat is gyártunk, alacsony AR bevonatokat használva külső rezonátorok összeszereléséhez.
Cikkszám.:LC808SE3,LC808SE5,LC808SE8
3W 5W 8W 808nm egy emitteres lézerchip
| Művelet | |||
| Középső hullámhossz | 808 nm | 808 nm | 808 nm |
| Hullámhossz tolerancia | 3 nm | 3 nm | 3 nm |
| Kimeneti teljesítmény | 3W | 5W | 8W |
| Üzemmód | cw | cw | cw |
| Mértani | |||
| Emitter szélessége | 20100um | 200um | 200um |
| Az üreg hossza | 2000 um | 2000 um | 4000 um |
| Emitter Pitch | 500 um | 500 um | 600 um |
| Elektrooptikai adatok | |||
| Küszöbáram | 0.4A | 0.8A | 1.25A |
| Üzemi áram | 2.8A | 4.8A | 8.5A |
| Lejtési hatékonyság | 1.22W/A | 1.25W/A | 1.2W/A |
| Konverziós hatékonyság | 61 százalék | 60 százalék | 55 százalék |
PIV diagram 3W 808nm-hez:
Népszerű tags: 3w 5w 8w 808nm egy emitteres lézerchip beszállítók, gyártók Kína, gyár, nagykereskedelem, Kínában gyártott