20 W-os 976 nm-es Single Emitter lézerchipek orvosi és esztétikai célokra
Jellemzők:
- CW üzemmód, 1W/A lejtőhatékonyság
- A tompított fényszóró divergenciája és kis fénykibocsátó rekesznyílás
- Egy emitteres lézerchip
- Optimalizált epitaxiális szerkezet kialakítása5. Magas teljesítményátalakítási hatékonyság
Alkalmazás:
- Orvosi és Esztétikai
- Lézeres megvilágítás
- Szabad tér optikai kommunikáció
A lézerchip nélkülözhetetlen mageszköz a lézeripar fejlesztéséhez és a teljes lézeripari lánc műszaki magja.20W 976nm Single Emitter Laser Chip CW üzemmóddal, és csak 1 emitterrel. Az áramátalakítási hatásfok elérheti az 54%-ot.
Műszaki paraméter
Cikkszám: LC976SE20
A cikk neve: 20 W 976 nm-es egykibocsátó lézerchip
|
Optikai |
Typ |
|
Központi hullámhossz |
976 nm |
|
Kimeneti teljesítmény |
20W |
|
Munkamód |
CW |
|
Spektrum szélesség |
4 nm |
| Kibocsátó száma | 1 |
|
Kibocsátó szélessége |
190μm |
| Üreg szélessége | 500 um |
|
Üreg hossza |
4000μm |
|
Az üreg vastagsága |
130μm |
| Gyors tengely divergencia | 29Deg |
| Lassú tengely divergencia | 9Deg |
| Polarizációs mód | TE |
| Lejtési hatékonyság | 1W/A |
|
Elektromos |
|
|
Üzemi áram Iop |
23A |
|
Küszöbáram Ith |
1.2A |
|
Üzemi feszültség Vop |
1.7V |
|
Konverziós hatékonyság |
54% |
|
Termikus |
|
|
Üzemi hőmérséklet |
25 fok |
|
Hullámhossz hőmérsékleti együttható |
0,35 nm/fok |
LIV görbe:
A lézerchipek a modern optoelektronikai technológia alapelemei, anyagrendszerük meghatározza a lézerek teljesítményét és alkalmazási területeit. A különböző anyagrendszerek szerint a lézerchipeket főként gallium-nitrid (GaN)-alapú kékfény-sorozatokra, gallium-arzenidre (GaAs), indium-foszfidra (InP) stb. osztják fel. Ezek az anyagok általában három- vagy kvaterner vegyületek formájában léteznek, és megvannak a maguk egyedi jellemzői és alkalmazási előnyei.
A gallium-nitrid (GaN) egy széles sávú félvezető anyag, amelyet kiváló elektronmobilitása és magas hővezető képessége miatt széles körben használnak kékfény-lézerekben. A gallium-nitrid{1}}alapú lézerek nagy teljesítményű, nagy hatékonyságú és hosszú élettartamúak, és széles körben használják olyan területeken, mint a CD-olvasás, a kijelző technológia és az orvosi berendezések.
A gallium-arzenid (GaAs) egy fontos III-V félvezető anyag, amelyet széles körben használnak az infravörös és közeli infravörös sávban működő lézerekben. A GaAs anyagrendszer kombinálható olyan elemekkel, mint például az alumínium és az antimon, így számos vegyületet képezhetünk, például alumínium-gallium-arzént (AlGaAs) és indium-gallium-arzént (InGaAs). Ezeket az anyagokat széles körben használják az elektro-optikai kommunikációban, az optikai tárolásban és a radartechnológiában.
Népszerű tags: 20w 976nm egy emitteres lézerchipek beszállítók, gyártók Kína, gyár, nagykereskedelem, Kínában gyártott